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IPD65R380C6 |
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | Infineon Technologies | 8344 | 鐢佃瘽锛�0755-83217923 询价QQ：  |
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IPD65R380C6参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3 包装数量：1 包装形式：剪切带 (CT) PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压 (Vdss)：650V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：10.6A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：380 毫欧 @ 3.2A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 320µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：39nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：710pF @ 100V 功率 - 最大值：83W 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： PMIC - 稳压MIC5202-3.3BMTR 保险丝 - 电气，FWS-15A20F 接口 - 专用FM1106-GA Card EdgeABC10DRES-S13 铝电容器EEU-FC1E152S 线路滤波器FN2360X-6-06 近程E2EM-X8C22M 配件K33-FLK3B 数据采集 - 数字AD5259BCPZ10-R7 其它E32-L253M |
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